Nanya рассчитывает самостоятельно разработать 10-нанометровую технологию производства DRAM

Компания Nanya Technology договорилась лицензировать у Micron Technology технологии производства DRAM 10-нанометрового класса (1X и 1Y). Используя их в качестве отправной точки, тайваньский производитель рассчитывает самостоятельно разработать 10-нанометровую технологию производства DRAM.

Nanya приглашает к совместной работе других производителей, отмечая, что участие китайских компаний маловероятно. Три из них уже разрабатывают собственные технологии полупроводникового производства DRAM и NAND. Компания Yangtze River Storage Technology (YMTC) рассчитывает под крылом Tsinghua Unigroup начать серийный выпуск 64-слойной памяти NAND в 2019 году. Компании Fujian Jin Hua Integrated Circuit и Hefei Rui-Li Integrated Circuit сосредоточились на разработке технологии выпуска DRAM.

Ключевые патенты, связанные с технологиями выпуска NAND и DRAM принадлежат нынешним лидерам рынка: Samsung, SK Hynix, Toshiba, Micron и Intel.

Комментировать

На ту же тему
Поделитесь своим мнением
Для оформления сообщений Вы можете использовать следующие тэги:
<a href="" title=""> <abbr title=""> <acronym title=""> <b> <blockquote cite=""> <cite> <code> <del datetime=""> <em> <i> <q cite=""> <s> <strike> <strong>

Свежие записи
HI-TECH © 2017 ·   Войти   · Тема сайта и техподдержка от GoodwinPress Наверх